[디지털데일리 한주엽기자] 삼성전자가 낸드플래시를 대체할 차세대 저항변화메모리(Re램)를 3D 적층 방식으로 개발하고 있다.
Re램은 전기적 저항 특성이 외부 전압이나 전류에 따라 변화하는 원리를 이용한 비휘발성 메모리다. 낸드플래시의 속도 및 대용량화 한계를 모두 극복할 수 있고 전력소모량 역시 낮출 수 있는 차세대 메모리로 업계에선 인식하고 있다.
Re램은 일본 파나소닉과 도시바가 그간 학회 등을 통해 상용화에 근접한 연구 성과를 발표한 바 있다. 삼성전자는 Re램에 3D 적층 방식을 우선 도입, 상용화시 이들과 기술 격차를 확 벌리겠다는 계획이다.
4일 삼성전자는 메모리칩을 위로 쌓아 집적도를 높인 3D 적층 Re램을 개발하고 있다고 밝혔다. 이 제품의 내부 명칭은 ‘VReRAM’로 V는 ‘수직(Vertical)’을 뜻한다.
기억 소자를 수평이 아닌 수직으로 쌓아올리는 3D 적층 방식은 용량 확대 및 원가 절감을 획기적으로 이룰 수 있는 기술이라고 업계 전문가들은 설명한다.
Re램의 경우 기억 소자의 재료와 구조가 단순하고 낮은 소비 전력으로도 동작하는 것이 특징이다. 특히 설계 구조가 간단하기 때문에 기억 밀도를 증가시키는 것이 다른 메모리에 비해 상대적으로 수월하다. 그러나 전류를 흘리거나 끊는 메커니즘은 복잡해서 상용화에 어려움을 겪었던 것으로 전해진다.
삼성전자는 기억 소자를 이루는 물질 종류를 개량, 전류를 흘리거나 끊는 일련의 작업을 성공적으로 수행할 수 있게 됐다고 밝혔다. 삼성전자는 이 같은 연구 성과에 대한 논문을 지난달 미국 샌프란시스코에서 열린 국제전자소자회의(IEDM)에서 발표하기도 했다.
삼성전자 관계자는 “차세대 메모리는 종류에 관계 없이 R&D를 적극적으로 펼치고 있으나 이들 제품의 상용화 시기 등 구체적인 사안은 아직 정해진 것이 아무것도 없다”고 말했다.
업계 관계자는 “Re램을 포함해 P램과 STT-M램과 같은 차세대 메모리가 기존 D램과 낸드플래시를 언제 대체할 수 있을 것이냐는 물음에는 현재 누구도 정확한 답을 내놓지 못하고 있다”고 설명했다.
한편 삼성전자와 SK하이닉스는 낸드플래시에 3D 적층 방식을 도입, 각각 V낸드와 ‘SMArT(Stacked Memory Array Transistor, 적층 방식 메모리)’라는 이름을 붙이고 양산성을 검증하고 있다.
