반도체 업계의 불황 속에서도 삼성전자-하이닉스반도체가 시장지배력을 확대하며 양강 구도를 강화하고 있다. 탁월한 원가 경쟁력을 무기로 지난해 사상 처음으로 60%대 글로벌 시장점유율을 달성한 국내 업체들은 올해를 사실상 시장을 장악할 수 있는 원년으로 보고 있다.
5일 업계에 따르면 하이닉스반도체는 최근 30나노대 공정을 자체 제품에 처음 적용한 4기가비트(Gb) DDR3 D램을 개발해 올해 1분기부터 양산할 계획이다. 30나노대 D램 공정기술 도입은 삼성전자에 이어 세계에서 두 번째다.
삼성전자는 지난 7월 세계 최초로 30나노대 공정을 적용해 PC용 2(Gb) D램 제품 양산에 돌입했으며, 4Gb 제품 역시 최근 개발해 양산을 준비하고 있다.
30나노급 공정은 반도체 회로선 폭이 사람 머리카락 굵기의 4000분의1 수준으로 얇다는 것을 뜻한다.
반도체 제조공정이 미세화될수록 반도체 크기를 줄일 수 있는데, 30나노대 공정은 기존 40나노대 공정보다 단위 원판(웨이퍼)에서 생산되는 반도체 개수를 60∼70% 늘릴 수 있다. 그만큼 가격 경쟁력이 좋아지게 된다.
현재 세계 반도체 시장은 사상 최악의 불황을 맞고 있다. 지난달 반도체 주력 제품인 PC용 DDR3 D램 가격의 경우 1 달러 밑으로 떨어지기도 했다. 하지만 국내 업체들이 잇따라 30나노 공정에 돌입하면서 일본·타이완 업체들과 차별화된 원가 경쟁력을 확보해 해외 경쟁사들을 확실히 따돌릴 기회를 잡게 됐다.
업계에서는 국내 업체들의 1Gb DDR3의 원가를 0.9~1.2달러로 추정한다. 반면 타이완과 일본 업체들은 1.6~2.0달러 수준으로 알려져 현재 생존을 걱정하는 처지다. 최근 일본 반도체 업체인 엘피다는 파워칩과 프로모스 등 타이완 반도체 제조사와 인수·합병(M&A) 논의에 들어갔다. 엘피다는 D램 생산으로는 더 이상 국내 업체들과 맞서는 게 불가능하다고 판단, LSI(비메모리) 반도체 체제로 전환을 모색하고 있다. 때문에 지난해 3분기에 60%가 넘는 시장점유율을 확보한 우리 반도체 업체들은 올해는 손쉽게 70%를 넘겨 시장을 점령할 것으로 분석된다.
여기에 삼성전자와 하이닉스반도체는 올해부터 본격적으로 낸드플래시 제품을 다양화하거나 매출 비중을 높일 계획이다. 현재 낸드플래시 제품은 모바일·스마트 기기에 주로 쓰이고 있어 가격이 오름세를 보이고 있다. 새로운 수익원 역할을 하는 동시에 반도체 사업 위험도 분산할 수 있어 국내 업체로서는 낸드플래시 사업 강화에 적극적으로 나설 수밖에 없는 상황이다.
이트레이드증권 김형식 연구원은 “일본 엘피다가 M&A에 성공하면 D램 업체 수가 크게 줄어 미세공정 전환속도가 빠른 국내 업체들에 유리한 구도가 될 것”이라고 분석했다. 하나대투증권 이가근 연구원도 “인텔이 새로운 중앙처리장치(CPU)를 출시하고 애플의 노트북 ‘맥북에어’로 촉발된 솔리드스테이트드라이브(SSD) 탑재 PC들이 등장하는 올해 초부터 D램 가격이 반등할 것으로 보여 우리 업체들의 선전이 기대된다.”고 설명했다.
